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LDMOS功放管损坏原因分析
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一般我们把功放管的损坏分为热损坏和电损坏，主要是使LDMOS 内部的寄生的双极性器件导通导致功放管损坏，电损坏主要由反射，漏压和电感电压叠加在一起如果达到击穿电压则功放管损坏。
那么AMPLEON功放管都是建立在10：1驻波比条件下不损坏的可靠性测试,可靠性有很好的保证。那么在实际应用中要注意的方面很多，保证散热，接地良好，漏压保持一定范围等等。
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